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标签： SK海力士

  • SK海力士获美国补贴贷款

    SK海力士获美国9.58亿美元补贴和贷款

    美国商务部周四最终敲定，将向SK海力士公司提供高达4.58亿美元的补贴和5亿美元的贷款，以支持其位于印第安纳州的先进芯片封装工厂，这是美国打造国内半导体供应链努力的关键部分。最终敲定金额略高于八月份宣布的初步协议，意味着这家韩国公司可以在其项目达到谈判基准后开始拿到补贴资金。这座耗资38.7亿美元的工厂将专注于封装从SK海力士本土工厂运往美国的芯片。该公司表示，这是对美国封装和其他研究项目投资高达150亿美元总体承诺的一部分。

    —— 彭博社

  • SK海力士获得美国补贴贷款

    SK海力士获美国9.58亿美元补贴和贷款

    美国商务部周四最终敲定，将向SK海力士公司提供高达4.58亿美元的补贴和5亿美元的贷款，以支持其位于印第安纳州的先进芯片封装工厂，这是美国打造国内半导体供应链努力的关键部分。最终敲定金额略高于八月份宣布的初步协议，意味着这家韩国公司可以在其项目达到谈判基准后开始拿到补贴资金。这座耗资38.7亿美元的工厂将专注于封装从SK海力士本土工厂运往美国的芯片。该公司表示，这是对美国封装和其他研究项目投资高达150亿美元总体承诺的一部分。

    —— 彭博社

  • SK海力士新设AI芯片开发和生产部门

    SK海力士新设AI芯片开发和生产部门

    SK海力士宣布已完成2025年的高管任命和组织架构优化。任命1名总裁、33名新高管和2名研究员。SK海力士引入了以“C-Level”为中心的管理体系，根据核心职能分配责任和权限，实现快速决策。业务单元被划分为包括 AI 基础设施(CMO)、未来技术研究院(CTO)、开发(CDO)和生产(CPO)在内的五大部门。

    新成立的开发部门整合了DRAM、NAND、解决方案等所有内存产品的开发能力，最大限度地发挥全公司的协同效应，开发下一代人工智能内存等未来产品。新成立的生产部门将统筹前端与后端内存生产，以推动技术工艺协同，并改善包括即将到来的龙仁半导体集群在内的国内外晶圆厂的生产技术。

    —— Businesses Korea

  • SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存

    SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存

    韩国半导体巨头SK海力士11月21日发布消息称，已开始量产用于存储数据的 NAND 闪存的321层产品。预计将用于面向人工智能的数据中心和“边缘AI”等领域。自2025年上半年开始交货。此前最尖端的 NAND 闪存为238层。与238层相比，321层的数据传输速度提高了12%，读取数据时的电力效率也提高10%以上。单位芯片面积的数据容量也增加59%。NAND 闪存被用于智能手机和数据中心。SK使用了4D技术，集成度比属于业界标准的3D (3维) 更高，实现了321层。SK表示：“没有发现其他公司超过300层的产品”。

    —— 日经新闻

  • 韩国前员工因窃取SK海力士机密技术被判处罚款

    韩国工程师将装满 SK 海力士机密文件的购物袋送给华为

    SK海力士一名前员工因在跳槽至华为前窃取关键半导体技术而被判处18个月监禁，并被处以2000万韩元罚款（14,300美元）。法院裁定她违反了韩国工业技术保护法，但因为缺乏直接证据证明华为已经收到了机密信息，判决相对较轻。

    被告自 2013 年起在 SK 海力士工作，可以接触到芯片生产所必需的敏感技术文件。在 2020 年，她决定因华为提供的高薪职位跳槽。但在从 SK 海力士辞职之前，被告在数天内打印了约 4,000 页高度敏感的文件。这些文件包含具体的“半导体制造工艺问题解决方案”等核心技术。她每天打印约 300 页，并将它们藏在背包和购物袋中，以避免被发现。

    —— Tom’s Hardware

  • SK海力士计划提前6个月向英伟达供应HBM4芯片

    英伟达要求SK海力士提前6月供应HBM4芯片

    韩国 SK 集团会长崔泰源表示，英伟达首席执行官黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。韩国 SK 海力士10月份表示，计划在2025年下半年向客户供应芯片。SK 海力士发言人周一表示，这一时间表比最初的目标要快，但没有进一步详细说明。黄仁勋要求加快交付，凸显了对英伟达图形处理单元用于开发人工智能技术的更高容量、更节能的芯片的需求。

    —— 路透社

  • SK海力士涉华芯片技术泄露案二审判决结果

    SK海力士涉对华泄露芯片技术高管二审加刑

    涉嫌向中国泄露SK海力士芯片核心技术、窃取三星电子子公司设备图纸的SK海力士合作企业副社长A某二审仍获刑，且刑量加重。首尔高等法院刑事7部18日就该案作出二审裁决，认定A某违反《产业技术法》和《防止不正当竞争及商业秘密保护法》，并判处其有期徒刑1年零6个月，刑量较一审增加6个月。一审被判缓刑的研究所所长等其他3名职员二审被判处有期徒刑1年到1年零6个月不等刑期。合作企业的法人被处罚金10亿韩元，较一审多6亿韩元。A某等人涉嫌从2018年起把其与SK海力士合作过程中所掌握的HKMG半导体制造技术和清洁配方等半导体相关核心技术、商业秘密泄露给中国半导体竞争企业。

    —— 韩联社

  • SK 海力士 DDR5 备受挤占导致价格上涨

    因 HBM3/3E 内存产能挤占，促使 SK 海力士 DDR5 提价 15%-20%

    从供应链获悉，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。同时，由于下游人工智能服务器加单，也推升了 SK 海力士决定提高 DDR5 价格的决心。

    —— 华尔街见闻

  • SK海力士获美方9.5亿美元资助AI芯片研发

    SK海力士获美国9.5亿美元资助 AI 芯片研发

    SK 海力士公司将获得美国4.5亿美元的初始拨款和5亿美元的贷款，以在印第安纳州建设先进的芯片封装和研究设施，该项目将增强美国人工智能供应链关键部分的产能。这座投资38.7亿美元的工厂将封装高带宽内存芯片，供英伟达等 AI 芯片制造商使用，而这家韩国公司在这一领域占据主导地位。据商务部官员表示，SK 海力士预计将从韩国向其美国工厂运送自己的内存芯片。该工厂预计将创造约1,000个就业岗位。除了补助金和贷款外，SK 海力士预计将像其他在美国建厂的公司一样享受 25% 的税收抵免。

    —— 彭博社

  • SK海力士中国公司经营异常

    SK海力士中国公司经营异常

    天眼查经营风险信息显示，近日，SK海力士半导体 (中国) 有限公司因未依照规定的期限公示年度报告，被无锡国家高新技术产业开发区 (无锡市新吴区) 市场监督管理局列入经营异常名录。该公司成立于2005年4月，法定代表人为郭鲁正 (KWAK NOHJUNG)，注册资本约51.96亿美元，经营范围为生产、加工、销售8英寸和12英寸集成电路芯片，自有房屋租赁，物业管理，半导体设备的销售、租赁，由SK海力士株式会社全资持股。

    更新：SK海力士半导体（中国）有限公司已于7月15日被当地市场监管局移出经营异常名录。

    —— 界面新闻