SK海力士涉对华泄露芯片技术高管二审加刑
涉嫌向中国泄露SK海力士芯片核心技术、窃取三星电子子公司设备图纸的SK海力士合作企业副社长A某二审仍获刑，且刑量加重。首尔高等法院刑事7部18日就该案作出二审裁决，认定A某违反《产业技术法》和《防止不正当竞争及商业秘密保护法》，并判处其有期徒刑1年零6个月，刑量较一审增加6个月。一审被判缓刑的研究所所长等其他3名职员二审被判处有期徒刑1年到1年零6个月不等刑期。合作企业的法人被处罚金10亿韩元，较一审多6亿韩元。A某等人涉嫌从2018年起把其与SK海力士合作过程中所掌握的HKMG半导体制造技术和清洁配方等半导体相关核心技术、商业秘密泄露给中国半导体竞争企业。
—— 韩联社
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