三星和SK海力士推12层HBM3E内存
3月19日消息,三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片,使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。
—— 韩联社
三星和SK海力士推12层HBM3E内存
3月19日消息,三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片,使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。
—— 韩联社
SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺
SK 海力士封装开发负责人 Lee Kang-Wook 表示,该公司今年将在韩国投资超过 10 亿美元,以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤,特别是先进封装工艺。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心,进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算,但分析师平均估计该数字为105 亿美元。 这表明先进封装(可能占其中的十分之一)是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示,“半导体行业的前 50 年一直是前端为主”,即芯片的设计和制造。 “但接下来的50年将是全部是后端为主”,即封装。Lee 表示,SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充(MR-MUF)和硅通孔(TSV)技术中,Lee 曾领导这两种技术的发明,现在均已成为 HBM 制造的基础核心技术。
—— 彭博社
三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额
在去年内存半导体低迷之后,三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术,积极加大对 DRAM 的关注,因为在强劲的人工智能需求的推动下,HBM 和 DDR5 的订单预计会增加,两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入,为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡,以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面,由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷,两家公司预计将继续维持当前的减产计划,在今年减少投资和扩张计划。
—— 商业韩国
SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM
韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案,希望在日本生产下一代 HBM 内存,因为生成式 AI 的需求正在迅速增长,以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。
SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率, 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话,将能迅速增产;另一方面,铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah,而之后若能生产最先进 DRAM 的话,也有助于日本半导体产业复兴计划。
铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品,双方曾计划合并,若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对,让合并谈判在去年秋天破裂。
—— 时事通讯社
韩国总统府:“美国同意三星、SK 海力士在未经单独许可的情况下向中国工厂供应半导体设备”
韩国总统府 9 日宣布,美国政府已做出最终决定,在未经批准的情况下,向三星电子和 SK 海力士的中国工厂提供美国制造的半导体设备,将不需要单独许可程序或豁免期限。
美国政府最近通过美国国家安全委员会(NSC)通知韩国,他们打算将三星电子和 SK 海力士在中国的半导体工厂指定为“已验证最终用户”(VEU)。
VEU 是一种允许出口仅限于预先批准企业的特定物品的综合许可方式。被纳入在 VEU 中实际上意味着美国的出口控制实际上将无限期推迟,因为无需单独的逐案发放许可证。
—— 韩联社
SK 海力士正在调查其芯片在新华为手机中的使用
SK海力士公司对华为最新款手机中使用其芯片的情况展开调查,此前该设备的拆解显示了其内部的内存和闪存。
为彭博新闻社拆解该设备的 TechInsights 表示,总部位于深圳的华为 Mate 60 Pro 使用了 Hynix 的 LPDDR5 和 NAND 闪存。 据 TechInsights 称,这款手机的零部件几乎完全由中国供应商提供,而海力士的硬件是从海外采购材料的一个孤立例子。
总部位于利川的海力士公司发言人星期四在给彭博新闻社的一份声明中表示,“自美国对华为实施限制以来,该公司已不再与华为开展业务,针对这个问题,我们已开始调查以了解更多细节”。 “SK海力士严格遵守美国政府的出口限制。”
目前尚不清楚华为如何从海力士采购存储芯片,海力士的大部分半导体是在中国的工厂生产的。 一种可能性是,华为可能正在利用其早在 2020 年美国对其实施全面贸易限制之前积累的零部件库存。
—— 彭博社
三星和SK海力士能获得美国特许,免受因针对中国芯片业制裁所带来的影响
华盛顿,10月6日(路透社),消息人士称,拜登政府计划让SK海力士和三星免受对中国内存芯片制造商的新限制的影响,这些限制旨在挫败中国政府的技术野心并阻止其军事进展。
消息人士称,美国商务部计划在本周发布对中国技术出口的新限制措施,如果扬子内存技术有限公司(YMTC)和长信内存技术有限公司(CXMT)等中国企业正在生产先进的DRAM或闪存芯片,那么美国供应商可能会拒绝向这些企业发送设备的请求。
然而,消息人士称,向在中国生产先进内存芯片的外国公司出售设备的许可申请将被逐一审查,可能允许他们获得设备。
其中一位知情人士说:”我们的目标是不伤害非本土公司”。
白宫和商务部拒绝发表评论。SK海力士公司、三星电子有限公司、YMTC和CXMT没有对评论请求作出回应。
—— 路透社