韩国SK海力士将在2028年前在人工智能、芯片领域投资750亿美元
韩国 SK 集团旗下的半导体子公司 SK 海力士计划在 2028 年前投资 103 万亿韩元 (748 亿美元)，彰显出该集团对其认为对其业务未来发展至关重要的领域的押注。SK 集团周日在声明中表示，其中约 80% (即 82 万亿韩元) 将用于投资高带宽内存 (HBM) 芯片。SK 海力士的 HBM 芯片针对英伟达公司的人工智能加速器进行了优化。作为对人工智能押注的一部分，SK 电讯公司和 SK Broadband Co. 将在其数据中心业务上投资 3.4 万亿韩元。
—— 彭博社
SK海力士离职中国员工涉嫌泄露核心技术被起诉
SK海力士的一名中国籍女性员工A某因涉嫌向中国华为公司泄露有关降低芯片不良率的核心技术资料被捕，目前正在接受审判。京畿南部警察厅产业技术安全侦查队28日表示，30多岁的A某涉嫌违反《防止产业技术泄露及保护法》，上月底被逮捕送检。A某现已被检方起诉，正在接受水原地方法院骊州分院的审判。
A某于2013年入职SK海力士，之后一直在负责分析芯片不良的部门工作，2020年至2022年在中国分公司担任组长，负责企业交易客户洽谈。2022年6月，A某返韩后立即跳槽到华为。A某离职前曾用三千多张A4纸打印出涉及核心半导体工序问题解决方案的资料。A某虽留下了打印文件的记录，但其用途未被SK海力士掌握。警方认为，A某将打印的纸张分批转移至外部，但A某对相关嫌疑矢口否认。
—— 韩联社
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
—— Business Korea
三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行
业界传出，全球前二大 DRAM 供货商韩国三星和 SK海力士正全力冲刺高带宽内存 (HBM) 与主流 DDR5 规格内存，下半年起将停止供应 DDR3 利基型 DRAM，引起市场抢货潮，导致近期 DDR3 价格飙涨，最高涨幅达20%，且下半年报价还将进一步上涨。业内传出，为了应对高频宽内存和 DDR5 的发展策略，三星已通知客户将于第二季度末停止生产 DDR3；而 SK海力士则在去年底就已将位于中国大陆无锡的工厂转向 DDR4 制程，意味着不再供应 DDR3；同时，美光为扩大 DDR5 和高频宽内存产能，也大幅减少了 DDR3 的供应量。
—— 台湾经济日报
SK海力士子公司向中企出售无锡晶圆代工厂近半股份
韩国芯片巨头SK海力士旗下晶圆代工子公司——SK海力士系统集成电路将把其无锡法人的近半股份转让给中国企业。据韩国金融监督院电子公示系统8日消息，SK海力士系统集成电路决定以2054亿韩元(约合人民币11亿元)的价格向无锡产业发展集团有限公司(简称无锡产业集团)出售其无锡法人21.33%的股份。无锡产业集团还将以参与有偿增资的方式追加确保无锡法人28.6%的股份，由此与SK海力士系统集成电路各持该公司49.9%和50.1%的股份。SK海力士系统集成电路无锡法人成立于2018年，目前在无锡运营晶圆代工厂。
—— 韩联社
SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓
华尔街见闻从供应链独家获悉，SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品，均有15%-20%的提价。供应链人士告诉华尔街见闻，“海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。”
—— 华尔街见闻
SK海力士2025年HBM产品基本售罄
SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。
—— 彭博社
SK海力士计划在韩国增加20万亿韩元人工智能芯片投资
SK海力士计划追加投资20万亿韩元，扩大该公司在韩国的半导体产能，以满足日益增长的人工智能芯片需求。这家韩国内存芯片生产商周三表示，将斥资超过20万亿韩元扩建其位于首尔西南部清州的DRAM芯片工厂。SK海力士称，根据这项新的长期支出计划，到2025年11月，该公司将首先完成投资5.3万亿韩元的清州芯片制造设施的建设。该公司表示，这项工厂扩建的目的是提高高带宽内存和其他先进人工智能芯片的产量。
—— 华尔街日报
SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂
SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示，将在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时，SK 集团董事长崔泰源表示，该企业将拨出大约150亿美元，在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示，周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款，该法案旨在促进半导体制造业回归美国。
—— 彭博社
三星和SK海力士推12层HBM3E内存
3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。
—— 韩联社