韩国SK海力士将在2028年前在人工智能、芯片领域投资750亿美元
韩国 SK 集团旗下的半导体子公司 SK 海力士计划在 2028 年前投资 103 万亿韩元 (748 亿美元)，彰显出该集团对其认为对其业务未来发展至关重要的领域的押注。SK 集团周日在声明中表示，其中约 80% (即 82 万亿韩元) 将用于投资高带宽内存 (HBM) 芯片。SK 海力士的 HBM 芯片针对英伟达公司的人工智能加速器进行了优化。作为对人工智能押注的一部分，SK 电讯公司和 SK Broadband Co. 将在其数据中心业务上投资 3.4 万亿韩元。
—— 彭博社
美光科技考虑在马来西亚生产HBM
知情人士透露，美国顶级存储芯片制造商美光科技正在美国建设先进高带宽存储 (HBM) 芯片的测试生产线，并考虑首次在马来西亚生产 HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。美光表示，其目标是到2025年将 HBM (AI 芯片的关键组件) 的市场份额提高三倍以上，达到20%左右。据两位知情人士透露，美光科技正在扩建位于爱达荷州博伊西总部的 HMB 相关研发设施，包括生产和验证线。他们说，该公司还在考虑在马来西亚建立 HBM 生产能力。美光最大的 HBM 生产基地位于台湾台中，该基地的产能也在增加。
—— 日经新闻
四月全球半导体销售额环比增1.1% 中国0.2%
美国半导体行业协会 (SIA) 公布的数据显示，4月份全球半导体销售额比上月增加1.1%，达到464.3亿美元。这是2023年12月以来首次出现环比正增长。去库存取得进展，销量进一步恢复。4月销售额比上年同月增长15.8%，增长率较上个月15.2%有所提高。按地区来看，美洲环比增长4.2%，达126.4亿美元，欧洲减少0.8%，降至42.5亿美元，日本增长2.4%，达35.9亿美元，中国增长0.2%，达141.7亿美元，不包括中日的亚太及其他地区减少0.5%，降至117.9亿美元。
—— 日经新闻
中国大型半导体公司破产引发破产潮担忧
近日原计划投资180亿元的大型半导体公司上海梧升半导体等公司被法院宣布进入破产清算，引发了人们对大面积倒闭的担忧。此外，自去年以来，市场上已有 23 家半导体公司撤回 IPO 申请，反映出投资者的谨慎情绪日益高涨。随着小公司纷纷破产，中国半导体行业正面临烂尾项目卷土重来的问题。
中国半导体项目烂尾的趋势最初始于 2020 年，2021 年至 2022 年，超过 10,000 家中国芯片相关公司被注销。2023 年，创纪录的 10,900 家半导体相关公司注销，较 2022 年倒闭的 5,746 家公司大幅增加。
—— 工商时报
半导体行情改善 日本铠侠解除减产
日本大型半导体企业铠侠控股时隔1年零8个月解除减产。制造用于长期存储的NAND型闪存的三重县四日市工厂和岩手县北上工厂的生产线的开工率在6月恢复至100%。 由于主力的智能手机半导体需求低迷影响，铠侠从2022年10月开始减产。减产规模一度超过30%。在北上工厂，该公司把建设中的制造厂房的投产时间从原定的2023年内延期至2025年以后。行情的改善推动了铠侠决定解除减产。该公司2024年1~3月的最终损益为盈利103亿日元，时隔6个季度实现盈利。
—— 日经新闻
台积电拟针对先进制程和先进封装涨价
台积电3纳米供不应求，苹果、英伟达等七大客户产能全包，预期订单满至2026年。据悉，3纳米代工价涨幅或在5％以上，先进封装明年年度报价也约有10％-20％涨幅。据供应链消息，除3纳米代工价格看涨，先进封装产能也同步看涨。台积电竹南先进封装厂(AP6)启用至今一年，随着AP6C机台陆续到位，已成为全台湾最大CoWoS基地，第三季度CoWoS月产能有望从1.7万片增至3.3万片，实现倍数增长。
—— 台湾工商时报
三星电子公布半导体技术路线图
三星电子12日在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”，公布半导体技术战略。2027年将引入尖端晶圆代工技术，推出两种新工艺节点，加强跨越人工智能芯片研发、代工生产、组装全流程的人工智能芯片生产“一站式”服务。三星电子正通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存 (HBM) 的集成人工智能解决方案致力于研制高性能、低能耗的人工智能芯片产品。据此，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时可缩减约20%。
—— 韩联社（摘抄部分）
东芝将向功率半导体业务投资1000亿日元
东芝公司12日透露，3年里将向汽车和生产设备的电力控制所用的“功率半导体”业务合计投资约1000亿日元(约合人民币46亿元)。这是2024至2026年度中期经营计划的一部分。将强化在石川县能美市、兵库县太子町和泰国的工厂，应对伴随纯电动汽车普及等脱碳潮流而扩大的需求。为提高功率半导体的生产效率，东芝还将探讨与合作伙伴、电子零部件巨头罗姆公司等其他公司协作。
—— 共同社
台积电3纳米制程占据领先地位 主导涨价潮
半导体业内人士表示，积电3纳米鳍式场效电晶体 (FinFET) 制程享有主导地位，由于产能供不应求，上游 IC 设计公司开始传出涨价消息。高通骁龙 8 Gen 4 以台积电 N3E 打造，据传，已率先开始涨价。供应链坦言，原本手机芯片的采购成本就已经很高，去年旗舰款 8 Gen 3 的采购价格大约在200美元左右，今年旗舰芯片或将超过250美元。但业界也指出，涨价幅度合理，因为相较5纳米，3纳米每片晶圆成本价格大约就贵了25％，这个涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
—— 台湾工商时报
台积电回应涨价传闻：定价以策略而非机会为导向 持续与客户紧密合作
6月12日，针对涨价传闻，台积电回复记者问询时表示，公司的定价策略始终以策略导向，而非以机会导向，公司会持续与客户紧密合作以提供价值。近期，台积电股价持续走高，市场有传闻称，台积电可能有意提高晶圆报价。涨价一事甚至得到了英伟达CEO黄仁勋的“助攻”。 在台北电脑展5日的投资人午餐会上，摩根士丹利为此询问黄仁勋如何看台积电希望涨价的事。黄仁勋回答：“我认为台积电价格太低了…台积电对全世界和科技业的贡献，从财报来看是委屈了。”黄仁勋还表示，会支持台积电在晶圆、CoWoS 报价。
—— 澎湃新闻