预计台积电今年第三季度净利润将增长40%
根据 LSEG SmartEstimate 从 22 位分析师那里收集的数据，预计台积电 2024 年第三季度的净利润将达到 2982 亿新台币，约合 92.7 亿美元，与去年同期相比将增长 40%。
利润激增的主要原因有两个：越来越多的公司向台积电下芯片订单，以在人工智能热潮中占据优势；苹果、高通和联发科等客户希望在今年凭借 3nm“N3E”产品占据上风。到目前为止，台积电似乎没有遇到竞争对手的竞争，就连三星也因产量不稳定而未能为其下一代 3nm GAA 产量吸引新客户。
—— wccftech，韩国时报
台湾官员称台积电计划在欧洲建立更多芯片工厂
据台湾官员透露，台积电正计划在欧洲建立更多工厂，重点关注人工智能芯片市场，以扩大其全球业务版图。台湾国家科学及技术委员会主任委员吴诚文表示：“台积电已经开始在德国德累斯顿建设第一座晶圆厂，并计划在未来针对不同的市场领域建设几座晶圆厂。”台积电称，该公司仍将重点关注当前的全球扩张项目，目前没有新的投资计划。台积电8月在德国德累斯顿启动了一个价值100亿欧元的芯片制造厂建设项目，这是其在欧盟的首个工厂。项目资金大约一半将由当地政府补贴，计划于 2027 年底投产。
—— 彭博社
台积电与 Amkor 合作在美国进行芯片封装
台积电与芯片封装公司 Amkor 周四宣布，两家公司已签署谅解备忘录，将在亚利桑那州合作进行芯片生产、封装和测试。两家公司在新闻稿中表示，他们在亚利桑那州的工厂非常接近，将加快整体芯片制造过程。根据协议，台积电将采用 Amkor 计划在亚利桑那州皮奥里亚市兴建之新厂所提供的一站式先进封装与测试服务。台积电将利用这些服务来支持其客户，特别是那些使用台积电在凤凰城先进晶圆制造设施的客户。苹果公司去年证实，Amkor 将对附近台积电工厂生产的 Apple Silicon 芯片进行封装，这是扩大美国制造业的共同愿望的一部分。
—— MacRumors
台积电2纳米晶圆价格将翻倍 超过3万美元
台积电的2纳米工艺技术推进顺利，继续按照原计划于2025年在新竹宝山新厂量产。据供应链透露，2纳米晶圆价格将比4纳米和5纳米翻倍，初步估计有望超过3万美元。先进工艺研发成本呈现指数级别增长，IC 设计高层透露，28纳米研发费用为0.5亿美元，16纳米工艺需要1亿美元，而推进到5纳米已经达到5.5亿美元。其中包括IP授权、软件验证、设计架构等多个环节。代工厂投入更是巨资，以3纳米工艺为例，研调机构认为相关研发投入需要40~50亿美元，而建设一座3纳米工艺工厂至少需要花费150~200亿美元。
—— 台湾工商时报
台积电和三星考虑在阿联酋增设芯片工厂
台积电和三星电子已讨论未来几年在阿联酋建设大型新工厂，以满足对人工智能计算不断增长的需求。知情人士称，全球最大芯片制造商台积电的高管最近访问了阿联酋，讨论建设一座可与该公司在台湾的先进设施相媲美的工厂综合体。韩国三星公司最近也派出特使前往中东国家，讨论在那里开展重大新业务的事宜。谈判尚处于初期阶段，鉴于面临的一系列技术和其他障碍，这些项目可能不会成功。正在考虑的这些规模的项目可能要花费超过 1000 亿美元才能完成。
—— 彭博社
字节跳动计划与台积电合作在 2026 年前量产两款自主设计的 AI 芯片
据两位知情人士透露，字节跳动计划与芯片制造商台积电合作，在 2026 年前量产其设计的两款半导体，预计字节跳动将预定数十万枚芯片的产量。知情人士表示，生产这些芯片可以减少字节跳动对昂贵的 Nvidia 芯片的依赖，从而开发和运行人工智能模型。字节跳动正在加快步伐制造自己的人工智能芯片，以期在中国人工智能聊天机器人市场上领先于竞争对手。
—— The Information
台积电首台High NA EUV传本月将进机
业界传出，台积电首台ASML High NA EUV光刻系统设备传本月将进机，由于该款逾4亿欧元设备且因光镜头镜片无法分拆入厂，高度比一间会议室还高且长度也远超前一代设备，因规格特殊且精密，恐须机场或港口联通的高速公路交管或特定深夜运送入厂避免交通不顺。对于业界传闻，ASML今日提到不评论单一客户。台积电9日傍晚回应本报记者也提到不回应市场传闻。不过，业界盛传，台积电首台High NA EUV传本月将进机，预计移入台积电全球研发中心，用于研发用途，进而应对后续先进制程开发需求。
—— 台湾经济日报
英特尔传已将3纳米以下制程委由台积电代工
英特尔晶圆代工业务发展受阻，据悉已将3纳米以下制程全面委由台积电代工，并进行全球裁员15%计划，力求扭转颓势。惟业界透露，英特尔裁员锁定以晶圆代工业务对象为主，但为维系台湾晶片厂生产业务，台湾分公司未受波及。半导体业内人士指出，先进制程的投入费用巨大，然而随着竞争对手逐步落后，渐往“赢者通吃”迈进。英特尔的CPU从 Lunar Lake 开始将采用“台积电制造”。
—— 台湾工商时报
台积电美国工厂试产良率接近本土工厂
台积电亚利桑那州工厂的生产良率已达到与台湾本土现有工厂相当，这是其美国标志性项目有望实现目标的早期迹象。据一位知情人士透露，这家台湾芯片制造商在其首家先进美国工厂的试产良品率与该公司位于台南的本土工厂相近。台积电此前曾表示，已于4月开始使用先进的4纳米制程技术进行工程晶圆生产。台积电称，其亚利桑那项目“正在按计划进行，进展良好”，但未对良品率发表评论。根据台积电此前规划，其亚利桑那晶圆厂4纳米制程预计于2025年上半年开始生产。
—— 彭博社
中国半导体制造能力仅落后台积电三年
美国对中国华为启动出口禁令已有5年。美国政府一直在采取遏制中国芯片技术的措施。但实际效果很少被讨论。日本半导体调查企业TechanaLye的社长清水洋治表示，中国芯片的实力已经达到比台积电落后3年的水平。虽然在良品率上存在差距，但从出货的半导体芯片的性能来看，中芯国际的实力已追赶到比台积电落后3年。虽然线路线宽为7纳米，但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能，因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。清水洋治详细分析了华为最新款智能手机得出结论是：“到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新，但推动了中国半导体产业的自主生产”。
—— 日经新闻