联发科成功流片 Dimensity 天玑旗舰芯片

联发科采用台积公司 3 纳米制程生产的芯片已成功流片,预计 2024 年量产

联发科与台积公司今日共同宣布,联发科首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利,日前已成功流片,预计将在明年量产。

台积公司的 3 纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持,还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5 纳米制程,台积公司 3 纳米制程技术的逻辑密度增加约 60 %,在相同功耗下速度提升 18 %,或者在相同速度下功耗降低 32%。

联发科一直基于业界领先的制程工艺打造Dimensity 天玑旗舰芯片,满足用户需求。联发科首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市。

—— MediaTek

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