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标签: 台积电

  • 台积电向美国工厂追加投资1000亿美元

    台积电宣布向美国工厂新投资1000亿美元

    全球最大芯片代工巨头台积电计划对美国工厂追加投资1000亿美元,以提升其在美国本土的芯片产能,并支持总统特朗普壮大国内制造业的目标。台积电首席执行官魏哲家周一在白宫与特朗普一同公布了公司扩大美国业务版图的愿景,这一布局始于特朗普第一任期的2020年。特朗普表示,此举意味着世界上最强大的人工智能芯片将在美国本土制造。特朗普表示:“没有半导体,就无法推动人工智能、汽车、先进制造业等一切领域的经济发展。”魏哲家表示,将在已规划的650亿美元投资的基础上追加这笔投资,将建造五座先进生产设施,创造数千个就业岗位。

    —— 彭博社

  • 英伟达包下台积电多达70%的CoWoS-L先进封装产能

    英伟达包下台积电今年超70%先进封装产能

    业界消息称,英伟达最新Blackwell构架GPU芯片需求强劲,已包下台积电今年超过70%的CoWoS-L先进封装产能,出货量以每季环比增长20%以上逐季冲高。 台积电未针对上述传闻做出回应,但集团董事长兼总裁魏哲家在上月的法人说明会上指出,人工智能芯片先进封装需求持续强劲,供不应求状况可能延续到2025年;集团正持续扩增产能,以满足客户需求。台积电预计,2024年先进封装营收占比约8%,今年将超过10%。

    —— 台湾经济日报

  • 英特尔 18A 工艺 SRAM 密度与台积电 N2 工艺相当

    英特尔 18A 工艺的 SRAM 密度与据报台积电的 N2 工艺相当

    最新报告清楚地表明,势头正在向蓝队倾斜。现在通过 ISSCC 学术会议披露,台积电和英特尔的尖端工艺在 SRAM 密度方面相当,表明差距已大大缩小。英特尔 18A“高密度”版本现在报告的宏位密度为 38.1 Mb/mm²,而且是大型阵列配置。台积电也详细介绍了其 N2 工艺,显示由于集成了 GAA 技术,SRAM 密度提高 12% 至同样的 38 Mb/mm²。N2 的主要改进是从传统的 FinFET 技术过渡到专用的 N2“纳米片”,带来了更多的工艺定制,以及更精确的控制。

    英特尔 18A 利用了 BSPDN(背面供电),它将供电过程转移到晶圆的背面。这标志着业界首次实现之一,主要带来功率效率和信号完整性的提高,标志着整个工艺的巨大突破。然而,未来芯片生产阶段以及良率的细节很可能才是决定性的。

    ——Wccftech

  • 台积电收购英特尔代工部门20%股权

    台积电或将收购英特尔代工部门20%股权

    供应链最新消息传出,台积电可能收购英特尔代工服务部门(IFS)20%股权。反垄断法通常会阻止市场上主要公司合并,但20%的持股将让台积电得以与英特尔合作,同时回避监督审查。经济日报最新报道暗示,台积电将取得英特尔少数股权,与此同时,美国芯片设计大厂高通与博通可能在该交易扮演重要角色,因为这两家公司可能透过向新实体下单,确保其顺利过度到营运状态,协助完成该交易。对于高通与博通而言,投资英特尔的IFS将使其更能与台湾的联发科竞争。

    —— wccftech、台湾经济日报

  • 台积电考虑收购英特尔美国芯片厂

    台积电考虑应特朗普团队要求控股英特尔美国芯片厂

    知情人士透露,台积电正在考虑是否应特朗普政府官员的要求来收购英特尔工厂的控股权。特朗普的团队在最近与台积电高层会面时提出了两家公司达成协议的想法,而台积电对此也乐于接受。英特尔是否对交易持开放态度目前尚不得而知。相关讨论还处于非常初期的阶段,潜在合作关系的确切结构也尚未确定。希望的结果是由台积电全面接手英特尔美国半导体工厂的运营。导致英特尔裁员和大砍全球扩张计划的财务窘境之忧也会得到应对。安排可能包括让美国主要芯片设计公司入股且美国政府也提供支持。这意味着合资企业不会完全由外国公司所有。

    —— 彭博社

  • 英特尔新工艺技术与台积电N2工艺的比较

    英特尔 18A 比台积电 N2 工艺性能更好但晶体管密度不及

    TechInsights 和 SemiWiki 发布了英特尔和台积电在国际电子设备会议上披露的有关即将推出的 18A(1.8nm)和 N2(2nm)工艺技术的关键细节。据称,英特尔的 18A 可以提供更高的性能领先于台积电 N2 和三星 SF2 。而台积电的 N2 可能提供更高的晶体管密度,英特尔 18A 和三星 SF2 则相仿。在 IEDM 活动上发表的论文中,英特尔和台积电都披露了其下一代 18A 和 N2 制造工艺相对于前代工艺的性能、功率和晶体管密度优势。不过,目前还没有办法对这两种制造技术进行正面比较。

    —— Tom’s Hardware

  • 台积电将于周三召开董事会

    台积电董事会将于周三首次在美国召开

    随着美国亚利桑那州第1座晶圆厂开始量产,台积电12日将在美国召开董事会。由于美国总统特朗普于美东时间2月7日表示,本周可能宣布对等关税措施,市场预测可能目标包括台湾等贸易伙伴,使得台积电在美国布局及亚利桑那州厂进展格外受到瞩目。为让董事会成员更加了解公司营运,台积电将于台湾时间周三首次在美国召开董事会。议案包括2024年第四季股利分配、季资本预算与人事案等,市场尤其关心台积电是否会扩大在美国的投资。市场先前传出,台积电正在考虑调涨代工价格,涨幅达15%,以因应美国关税带来的不确定风险。

    —— 中央社、自由财经

  • 台积电和中国IC设计公司面临美国出口管制

    台积电暂停向部分国产芯片设计厂商发货

    美国商务部工业与安全局新的对华出口管制法规已于1月31日生效,要求前端半导体制造工厂和外包半导体封装与测试(OSAT)厂商对使用“16/14纳米节点”或以下先进制程节点的芯片进行更多尽职调查。不在白名单当中的芯片设计企业需要向美国商务部提交豁免申请,或需要交由在白名单当中的OSAT企业来进行封测。台积电将暂停16/14纳米及以下制程芯片发货,芯片设计厂商需拿到白名单内的OSAT的认证签署副本,才会恢复发货。

    知情人士称:“一些中国IC设计公司还被要求将部分敏感订单的流片、生产、封装和测试全部外包,并且IC设计公司在整个生产流程中不能进行干预。”美国此次出台的限制规则将杜绝中企通过白手套获取先进制程代工产能后,交由非白名单内的第三方封测厂商最终实现HPC/AI芯片,以绕过管制。

    —— 芯智讯

  • 台积电南科18厂将于23日全面复机

    台积电南科晶圆十八厂将于今日全面复机

    台湾嘉义于21日凌晨12点17分发生芮氏规模6.4级地震,邻近的台南也受波及,外界关注台积电南科厂在强震后的状况。台积电位在南科晶圆厂区测得最大震度5级,针对受灾厂区情况,台积电表示,在第一时间即疏散人员。供应链透露,此前因地震停机的台积电南科十八厂,将于今 (23) 日全面复机,恢复正常生产。而生产成熟制程的晶圆十四厂仍在紧急修复中,复机时间仍未确定。十八厂为新盖的晶圆厂,主要生产3、5纳米先进制程,其厂房防震系数较高,破损晶圆预计在三万片以内。而生产成熟制程的十四厂约有半数机台受到影响,仍在紧急修复中,复机时间仍未确定,报废晶圆超过三万片。

    —— 台湾工商时报

  • 台积电中科南科厂员工紧急疏散

    地震促使台积电中科南科厂员工紧急疏散

    台湾今日凌晨0点17分的强震,由于台南地区震度达5弱,台中震度也达4级,台积电也立刻做出回应,称中科和南科厂已达疏散标准,依人员安全为第一优先,公司已依紧急应变程序进行人员室内及室外疏散,有关影响也在清点中。由于今天地震摇晃的时间有数十秒之久,尤其震度高的南部和中科是台积电重要生产据点之一,台积电立刻进行人员工疏散,因机台大部分有防震设计,预料受损情况不会太高,只是摇晃太久担心机台移位,得停机重新定位后调校再启动,但实际影响恐得等公司清点再做进一步说明。

    —— 联合新闻网