美国敲定向三星和德州仪器提供芯片补贴
三星电子和德州仪器已签署最终协议，获得数十亿美元的美国政府支持，用于在美国建立新的半导体工厂，巩固拜登政府芯片法案倡议的重要部分。根据周五公布的具有约束力的协议，三星将获得高达47.5亿美元的资金，德州仪器将获得16亿美元，这笔资金将帮助他们在美国得克萨斯州和犹他州建设工厂。最终协议意味着，当这些芯片制造商的项目达到特定里程碑时就可以开始获得联邦资金。尽管德州仪器的最终协议条款与初步协议一致，但三星获得的金额却大大低于最初的预期。三星表示：“我们的中长期投资计划已部分修改，以优化整体投资效率。”这表明其项目规模不会像原计划那么大。
—— 彭博社
德州仪器获46亿美元芯片法案补助和贷款
美国政府周五宣布，德州仪器公司将获得16亿美元的《芯片法案》拨款和30亿美元的贷款，这是旨在促进美国半导体制造业发展计划获得的最新重大奖励。商务部表示，这笔资金将用于支付犹他州一家工厂和得州两家工厂的费用。两家工厂到2029年将耗资约180亿美元。预计这项计划将创造约2000个制造业岗位和数千个建筑业岗位。德州仪器计划在这两个州总共投资约400亿美元，包括在得州谢尔曼市再建两家工厂。后建这些工厂很可能会在2030年后投入使用。美国商务部表示将优先考虑在2030年底前完成的项目。
—— 彭博社
德州仪器：正在将GaN半导体生产工艺向8英寸过渡
5日讯，德州仪器正在将 GaN (氮化镓) 生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。德州仪器韩国总监 Ju-Yong Shin 表示，公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为 GaN 半导体产线。
—— 科创板日报、韩国时报