德州仪器将GaN半导体生产工艺向8英寸过渡

德州仪器：正在将GaN半导体生产工艺向8英寸过渡

5日讯，德州仪器正在将 GaN (氮化镓) 生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。德州仪器韩国总监 Ju-Yong Shin 表示，公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为 GaN 半导体产线。

—— 科创板日报、韩国时报