英特尔 18A 工艺 SRAM 密度与台积电 N2 工艺相当

英特尔 18A 工艺的 SRAM 密度与据报台积电的 N2 工艺相当

最新报告清楚地表明，势头正在向蓝队倾斜。现在通过 ISSCC 学术会议披露，台积电和英特尔的尖端工艺在 SRAM 密度方面相当，表明差距已大大缩小。英特尔 18A“高密度”版本现在报告的宏位密度为 38.1 Mb/mm²，而且是大型阵列配置。台积电也详细介绍了其 N2 工艺，显示由于集成了 GAA 技术，SRAM 密度提高 12% 至同样的 38 Mb/mm²。N2 的主要改进是从传统的 FinFET 技术过渡到专用的 N2“纳米片”，带来了更多的工艺定制，以及更精确的控制。

英特尔 18A 利用了 BSPDN（背面供电），它将供电过程转移到晶圆的背面。这标志着业界首次实现之一，主要带来功率效率和信号完整性的提高，标志着整个工艺的巨大突破。然而，未来芯片生产阶段以及良率的细节很可能才是决定性的。

——Wccftech