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英特尔与产综研将在日本设立开发基地

英特尔与产综研将在日本设立开发基地

美国英特尔与日本国立研究机构产业技术综合研究所将在日本国内设立最尖端半导体制造设备和材料的研究开发基地。新基地计划3至5年后成立,将在日本研究机构中首次引进极紫外线(EUV)光刻设备。这种设备对生产电路线宽在5纳米以下的最尖端半导体不可或缺。日本产综研作为运营主体,英特尔则提供使用EUV制造半导体的技术等。总投资额预计达到几百亿日元。企业将支付使用费,利用EUV进行试制和测试。新基地还考虑与美国研究机构进行技术合作和人才交流。

—— 日经新闻

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