力积电与SBI在宫城县的半导体工厂将扩大建设用地
14日从相关人士处获悉，有关日本SBI控股和台湾力晶积成电子制造公司在宫城县大衡村新建的半导体工厂，建设预定地将比起初扩大约1成。总投资额预计因成本高涨等因素，增加约1000亿日元，或超过9000亿日元。建设预定地是大衡村的“第二仙台北部中核工业园区”。在推进工厂基本设计的过程中，占地面积从最初设想的16.8公顷扩大至18.8公顷。厂区内计划建造2栋工厂楼等。据SBI称，3月在当地启动了钻探调查。工厂的基本计划为2025年动工建设、2027年开工投产，力争投产时间提前。截至投产，将投资建设费等超过5000亿日元。据悉，在预计2029年以后实现的全面开工时期，计划向生产设备追加投资超过4000亿日元，将半导体产量增至4倍。
—— 共同社
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