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中国在芯片技术方面悄然取得进展，以减少对先进 ASML 光刻机的依赖

据知情人士透露，中国的北方华创科技集团上个月开始研发光刻系统，中国本土的半导体设备制造商试图在不使用荷兰巨头阿斯麦最新设备的情况下生产先进芯片，这一突破可能会挫败美国遏制中国芯片制造能力的企图。这些努力涉及中国半导体供应链的多个参与者，并取得了初步研究进展，华为技术有限公司上个月申请的一项专利披露了一种称为“自对准四重图案化 (SAQP)”的技术，该技术通过在硅片上多次蚀刻线路，提高晶体管密度，进而增强芯片性能。这项专利结合了先进的蚀刻和光刻技术，“可以提高电路图案设计的自由度”。彭博社曾报道，利用 SAQP 技术，使用深紫外光刻 (DUV) 设备中国就可以制造出5纳米级芯片，而无需只有阿斯麦尔才能供应的更先进的极紫外 (EUV) 设备。知情人士透露，北方华创去年12月就拟定计划，要于今年3月开始研发光刻系统。北方华创发言人表示，报道的消息并不准确，但没有进一步说明详情。

—— 南华早报

华为测试蛮力方式制造更先进的芯片

华为公司和中国一家秘密的芯片制造合作伙伴已为一种低技术但可能有效的先进半导体制造方法申请了专利。根据提交的专利申请，这两家公司正在开发涉及自对准四重成像 (SAQP) 的技术，这可能使他们无需 ASML 最先进的 EUV 光刻设备即可生产先进芯片。国资背景的硅开利、北方华创也在探索 SAQP 技术。尽管美国试图阻止中国制造先进芯片，但该方法仍有可能帮助中国使用过时工具制造某些 5nm 芯片。该技术曾在 10nm 以前的工艺中使用，但因为多重步骤带来制造成本上升和良率下降，在 7nm 以后的先进制程节点中现已被 EUV 全面替代。

—— 彭博社