三星电子Q1底起将供应改良版HBM3E芯片
三星电子31日举行业绩电话会议称，公司将从今年第一季度底起向主要客户供应第五代高带宽内存“HBM3E”的改良品，并争取下半年内量产第六代高宽带内存“HBM4”。预计改良版HBM3E的供应量将从第二季度起全面增加。三星去年10月发布改良版HBM3E供应计划，此后美国政府发布尖端半导体出口管制政策，推动客户需求逐步转移至改良版HBM3E。虽然这恐将导致HBM总需求暂缓，但对12层HBM3E的需求将从第二季度起迅速增加，其增速有望高于预期。三星电子计划将今年全年HBM bit供应量扩至去年的两倍。
—— 韩联社
三星电子8层HBM3E产品通过英伟达测试
消息人士称，三星电子第五代8层HBM3E产品已通过英伟达的测试，可用于后者的人工智能处理器。消息人士称，三星和英伟达尚未签署已获批的 8 层 HBM3E 芯片的供应协议，但很快就会达成协议，预计将在 2024 年第四季度开始供应。不过，三星的 12 层 HBM3E 芯片版本尚未通过英伟达的测试。
—— 路透社
三星和SK海力士推12层HBM3E内存
3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。
—— 韩联社