三星电子8层HBM3E产品通过英伟达测试
消息人士称，三星电子第五代8层HBM3E产品已通过英伟达的测试，可用于后者的人工智能处理器。消息人士称，三星和英伟达尚未签署已获批的 8 层 HBM3E 芯片的供应协议，但很快就会达成协议，预计将在 2024 年第四季度开始供应。不过，三星的 12 层 HBM3E 芯片版本尚未通过英伟达的测试。
—— 路透社
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SK海力士和三星推出12层HBM3E内存
三星和SK海力士推12层HBM3E内存
3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。
—— 韩联社