中国防火长城GFW中的内存数据泄露漏洞
近日，Gfw.Report发布论文《Wallbleed：中国防火长城中的内存数据泄露漏洞》。论文摘要显示，研究员发现了一个名为Wallbleed (墙出血) 的缓冲区过度读取漏洞，该漏洞存在于中国防火长城 (GFW) 的DNS注入子系统中。Wallbleed导致某些影响全国范围的审查设备在处理特制的DNS请求时会泄露至多125字节的内存数据。研究员从2021年10月开始进行了为期两年的持续性、全网范围的测量。逆向工程了DNS注入器解析逻辑，评估了哪些信息被泄露以及中国国内外的互联网用户受到何种影响，并且实时监测审查者的修补行为。识别出可能来自审查系统内部的流量，分析了审查系统的内存管理和负载均衡机制，并观察到注入节点的进程级变化。
—— Gfw.Report
英伟达称三星面临 AI 内存芯片设计的挑战
英伟达首席执行官黄仁勋表示，三星电子在生产用于人工智能系统的新型内存芯片方面遇到了困难，但他相信这家合作公司能够克服这些挑战。该技术是最新类型的高带宽内存 (HBM)，是采用英伟达芯片的新型人工智能系统的重要组成部分。三星在生产符合英伟达标准的 HBM 方面比SK海力士等竞争对手慢，黄仁勋在周二拉斯维加斯 CES 大会的新闻发布会上承认了这些挑战。黄仁勋在发布会上说，“他们必须设计出一种新设计。但他们能做到。他们工作非常快。他们非常致力于实现这一目标。”“毫无疑问，他们会成功的，我相信三星将在 HBM 上取得成功。”
—— 彭博社
英伟达正在尽快认证三星的AI内存芯片
英伟达首席执行官黄仁勋在香港科技大学一场活动间隙向彭博电视表示，英伟达正在尽快对三星的人工智能内存芯片进行认证。英伟达正在考虑三星的 8 层和 12 层 HBM3E 产品。今年10月下旬，三星暗示其HBM芯片已获英伟达质量测试重大进展。但黄仁勋在本周早些时候与分析师的财报后电话会议上提到了一些主要合作伙伴时，并未提及三星。
—— 彭博社
三星开始为英伟达量产HBM3内存
三星电子已开始量产，并向英伟达供应四代高带宽内存 (HBM3)。为了补充因 HBM 供应而变得不足的通用 DRAM 供应，平泽P4工厂将转变为仅生产 DRAM 的生产线。据业内人士透露，三星电子最近通过了英伟达的8层 HBM3 资格测试，并开始在华城17号线生产仅 HBM 的 DRAM。据悉，这是三星电子首次向英伟达供应 HBM3 内存。
—— 首尔经济日报
华为参与开发高带宽内存，以抵制美国的制裁
据消息人士透露，华为技术有限公司已与中国晶圆代工厂武汉新芯集成电路制造有限公司合作开发高带宽内存 (HBM) 芯片，因为这些设备已成为人工智能项目所用计算基础设施中不可或缺的组件。消息人士称，该计划还涉及大陆集成电路封装公司江苏长电科技和通富微电子，任务是提供 CoWoS 封装。
去年8月，华为在5G智能手机市场出人意料地卷土重来，推出了一款搭载7纳米处理器的手机。这一突破在大陆受到称赞，但鉴于现有的技术准入限制，引发了美国的严格审查。
—— 南华早报
美光推出用于游戏和人工智能的新一代GPU内存GDDR7
6月5日消息，台北国际电脑展上，美国存储芯片厂商美光宣布推出新一代 GDDR7显存（GPU显卡内存）。美光 GDDR7采用其1βDRAM 架构，内存性能速率高达32Gb/s ，上一代GDDR6显存速率为18Gb/s，带宽超过1.5TB/s，较GDDR6提升60%。 同时与GDDR6相比，GDDR7能效提升超过50%，可实现更好的散热和续航。 GDDR7可适用于人工智能、游戏和高性能计算等领域。
自 2024 年下半年起，美光 GDDR7 内存将可从美光直接购买，或通过全球部分渠道分销商和经销商对外供应。
—— 界面新闻
英伟达正在努力认证三星 HBM 內存芯片
英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽內存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说：”根本没有那回事。”
—— 彭博社
三星推出专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
4月17日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达10.7Gbps的LPDDR5X DRAM，采用12纳米级工艺技术，也是三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸，将于今年下半年开始量产。据三星方面介绍，该产品可根据工作负载频率调整和优化供电模式，扩展低功耗模式频段，能效较上一代产品提升25%，同时性能提高25%以上，容量提高30%以上，还将移动DRAM的单封装容量扩展至32GB。三星电子内存业务内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示，市场对低功耗、高性能内存需求增加，LPDDR DRAM的应用领域有望从主要的移动领域扩展到PC、加速器、服务器和汽车等其他领域，对内存有更高性能和可靠性要求。
——科创板日报
三星和SK海力士推12层HBM3E内存
3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。
—— 韩联社
西部数据 NAND 拟涨价55% 多只内存股创新高
内存厂商接连调涨产品售价，继三星传出明年上半年逐季涨价 20% 之后，西部数据近日发函通知下游销售渠道及代工厂客户将涨价，其中 NAND 闪存未来累计涨幅可能高达55%。
西部数据向客户发出涨价通知，指出机械硬盘产品将每周审查定价，并预计明年上半年开始涨价。NAND 闪存产品价格则会在未来几个季度上涨，价格可能会比目前水平高出55%。
—— 台湾经济日报