涉对华泄露芯片技术三星前高管被批捕
韩国首尔警察厅6日消息，涉嫌对华泄露芯片核心技术的三星电子前高管和首席研究员被批捕。曾担任三星电子和海力士半导体高管的66岁崔珍奭和前三星电子首席研究员60岁吴某涉嫌违反商业秘密保护法等，泄露三星电子自主开发的700多个20纳米技术工艺流程图用于成都高真科技公司进行产品研发。成都高真科技公司是崔珍奭2021年获投资后设立，吴某出任该公司高管。警方于今年1月申请提捕吴某，但被驳回。警方补充侦查并再次提请批捕，并一同提捕崔珍奭。首尔中央地方法院日前批准逮捕。警方计划具体调查泄密过程、以及是否获取经济利益等。
—— 韩联社、朝鲜日报
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