铠侠开发出第10代NAND闪存 速度提升3成
日本铠侠控股2月20日宣布开发出了新一代NAND型闪存。代表性能的层数为332层，比以往的218层有所增加。数据传输速度提高33%。铠侠此次开发的是被称为第10代的技术。与目前第8代的218层产品相比，输入数据时的电力效率提高10%，输出时提高34%。单位面积的存储容量提高59%。今后将在日本国内生产，具体时间尚未确定。铠侠还在开发分别制造搭载存储元件的晶圆和写入负责读写等电路的晶圆、之后再将其粘合起来的技术。铠侠20日还宣布，除第10代产品之外，还在开发第9代。存储元件的性能采用现有技术，读写性能则采用新一代技术。
—— 日经新闻
SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存
韩国半导体巨头SK海力士11月21日发布消息称，已开始量产用于存储数据的 NAND 闪存的321层产品。预计将用于面向人工智能的数据中心和“边缘AI”等领域。自2025年上半年开始交货。此前最尖端的 NAND 闪存为238层。与238层相比，321层的数据传输速度提高了12%，读取数据时的电力效率也提高10%以上。单位芯片面积的数据容量也增加59%。NAND 闪存被用于智能手机和数据中心。SK使用了4D技术，集成度比属于业界标准的3D (3维) 更高，实现了321层。SK表示：“没有发现其他公司超过300层的产品”。
—— 日经新闻