英特尔 18A 比台积电 N2 工艺性能更好但晶体管密度不及
TechInsights 和 SemiWiki 发布了英特尔和台积电在国际电子设备会议上披露的有关即将推出的 18A（1.8nm）和 N2（2nm）工艺技术的关键细节。据称，英特尔的 18A 可以提供更高的性能领先于台积电 N2 和三星 SF2 。而台积电的 N2 可能提供更高的晶体管密度，英特尔 18A 和三星 SF2 则相仿。在 IEDM 活动上发表的论文中，英特尔和台积电都披露了其下一代 18A 和 N2 制造工艺相对于前代工艺的性能、功率和晶体管密度优势。不过，目前还没有办法对这两种制造技术进行正面比较。
—— Tom’s Hardware