三星电子改组新设HBM芯片研发团队
在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下，三星电子进行大规模改组，组建一个专注于高带宽存储器 (HBM) 的研发团队，力争在半导体市场确保“超级差距”。据业界4日消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案 (DS) 部门当天进行改组，新设 HBM 研发组。三星电子副社长、高性能 DRAM (动态随机存取存储器) 设计专家孙永洙担任该研发组组长，带领团队集中研发 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技术。此外，三星电子还对先进封装 (AVP) 团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。
—— 韩联社
美光科技考虑在马来西亚生产HBM
知情人士透露，美国顶级存储芯片制造商美光科技正在美国建设先进高带宽存储 (HBM) 芯片的测试生产线，并考虑首次在马来西亚生产 HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。美光表示，其目标是到2025年将 HBM (AI 芯片的关键组件) 的市场份额提高三倍以上，达到20%左右。据两位知情人士透露，美光科技正在扩建位于爱达荷州博伊西总部的 HMB 相关研发设施，包括生产和验证线。他们说，该公司还在考虑在马来西亚建立 HBM 生产能力。美光最大的 HBM 生产基地位于台湾台中，该基地的产能也在增加。
—— 日经新闻
英伟达正在努力认证三星 HBM 內存芯片
英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽內存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说：”根本没有那回事。”
—— 彭博社
美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK海力士和三星电子更具优势
业界2日称，美光正在研发的下一代 HBM 在功耗方面优于 SK海力士和三星电子。一位知情的半导体行业高管表示：“美光的新 HBM 产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。”今年年底美光 HBM 产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为 SK海力士和三星电子产能的 20% 左右，但预计明年将增加三到四倍。
—— Etnews
三星 HBM 芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试
三位知情人事表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存 (HBM) 芯片未能通过英伟达的测试，无法用于这家美国公司的人工智能处理器。消息人士表示，这影响了三星的 HBM3 (第四代)、HBM3E (第五代) 芯片。这是首次报道三星未能通过英伟达测试的原因。三星在给路透社的声明中表示， HBM 是一种定制的内存产品，需要“根据客户需求进行优化过程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。三星拒绝对具体客户发表评论。
—— 路透社
SK海力士2025年HBM产品基本售罄
SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。
—— 彭博社
SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM
韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。
SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。
铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。
—— 时事通讯社