俄罗斯宣布自研比 ASML 更便宜更易制造的 EUV 光刻机
俄罗斯联邦已公布自主开发 EUV 光刻机的路线图，目标是比 ASML 的光刻机更便宜、更容易制造。这些设备将采用11.2纳米的激光光源，而非 ASML 标准的13.5纳米。这种波长将与现有的 EUV 设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时间。
该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的尼古拉·奇卡洛领导，目的是制造性能具竞争力且具成本优势的 EUV 光刻机，以对抗 ASML 的设备。奇卡洛表示，11.2纳米波长的分辨率提高了20%，可以提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。
—— Tom’s Hardware
台积电首台High NA EUV传本月将进机
业界传出，台积电首台ASML High NA EUV光刻系统设备传本月将进机，由于该款逾4亿欧元设备且因光镜头镜片无法分拆入厂，高度比一间会议室还高且长度也远超前一代设备，因规格特殊且精密，恐须机场或港口联通的高速公路交管或特定深夜运送入厂避免交通不顺。对于业界传闻，ASML今日提到不评论单一客户。台积电9日傍晚回应本报记者也提到不回应市场传闻。不过，业界盛传，台积电首台High NA EUV传本月将进机，预计移入台积电全球研发中心，用于研发用途，进而应对后续先进制程开发需求。
—— 台湾经济日报
阿斯麦台积电能远程关闭EUV？国科会吴诚文：技术上可行
彭博社报道，据数名知情人士透露，若台湾被入侵，荷兰半导体生产设备制造商阿斯麦及台积电有方法让台积电最先进的芯片制造设备“极紫外光刻机”(EUV)停止运行。立法院教育及文化委员会邀请国科会主委吴诚文列席报告业务概况并接受质询，国民党立委叶元之提问外媒报导是否属实，是否可远端关闭EUV。吴诚文回应说，以现在的半导体产业智能制造技术，“可以做得到，技术上是可以的”。
—— 中央社(台湾)、彭博社
台积电称无需 ASML 的 High-NA EUV 即可实现下一代 A16 工艺节点
台积电高管周二表示，不一定需要使用 ASML 下一代 High NA EUV 机器，用于即将推出的芯片制造技术 A16，该技术正在开发中，预计于 2027 年推出。High NA 光刻工具有望帮助将芯片设计缩小三分之二，但芯片制造商必须权衡这一优势与更高的成本，以及 ASML 的旧技术是否可能更可靠、更好。每台 High NA EUV 工具的成本预计超过 3.5 亿欧元，而 ASML 常规 EUV 机器的成本则为 2 亿欧元。台积电是全球最大的合同芯片制造商，也是 ASML 常规 EUV 机器的最大用户。而另一方面，英特尔则已经打包预定了 ASML 今年所有的 High NA 设备出货量。
—— 路透社
英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能
TheElec 获悉，ASML 截至明年上半年的高数值孔径 EUV (High-NA EUV) 设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和 SK 海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2nm 工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过 5000 亿韩元。
—— TheElec
ASML 和英特尔实现 High NA EUV “初次曝光”里程碑
ASML 大型新型高数值孔径 (High NA) EUV 光刻系统已完成“初次曝光”，这是一个里程碑，意味着该工具正在运行，尽管尚未发挥全部性能。ASML 和英特尔本周三表示，英特尔在其工厂内，通过激活光源并使光透过透镜系统到达晶圆上的光刻胶，利用 ASML 的 High NA EUV 系统实现了一个重要的里程碑。 这表明光源和镜子已正确对齐，这是调试过程中的关键步骤。 “初次曝光”里程碑表明当前世界上最先进的芯片制造工具 ASML Twinscan EXE:5000 系统的一个主要组件已开始运行，但尚未达到峰值性能。
—— 路透社