三星开始为英伟达量产HBM3内存
三星电子已开始量产，并向英伟达供应四代高带宽内存 (HBM3)。为了补充因 HBM 供应而变得不足的通用 DRAM 供应，平泽P4工厂将转变为仅生产 DRAM 的生产线。据业内人士透露，三星电子最近通过了英伟达的8层 HBM3 资格测试，并开始在华城17号线生产仅 HBM 的 DRAM。据悉，这是三星电子首次向英伟达供应 HBM3 内存。
—— 首尔经济日报
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三星electronics改组HBM研发团队
三星电子改组新设HBM芯片研发团队
在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下，三星电子进行大规模改组，组建一个专注于高带宽存储器 (HBM) 的研发团队，力争在半导体市场确保“超级差距”。据业界4日消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案 (DS) 部门当天进行改组，新设 HBM 研发组。三星电子副社长、高性能 DRAM (动态随机存取存储器) 设计专家孙永洙担任该研发组组长，带领团队集中研发 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技术。此外，三星电子还对先进封装 (AVP) 团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。
—— 韩联社