中芯国际计划于2025年内完成5nm芯片开发，尽管该公司此前传言已成功实现5nm工艺突破，但仍然面临诸多技术障碍。不同于台积电等领先企业采用先进的极紫外光刻（EUV）设备，中芯国际将依赖较旧的深紫外光刻（DUV）设备来实现其5nm制程目标。
这一选择带来了显著的成本和效率问题。数据显示，中芯国际的晶圆价格将比台积电高出约50%。此外，由于DUV设备在实现更先进的5nm工艺时需要额外的光刻步骤，导致制造良率仅为33%，远低于行业领先水平。这些因素使得中芯国际在技术竞争力和成本效益方面面临严峻挑战。
尽管如此，华为仍计划利用中芯国际的5nm技术来生产其昇腾910C芯片。目前尚不清楚中芯国际何时能实现5nm晶圆的量产，但可以预见的是，在追赶全球领先芯片制造企业如台积电和三星的过程中，中芯国际仍需克服诸多技术和成本障碍。