三星加速 micro OLED 生产 目标三年内实现量产
近日，三星显示执行董事Jeong Seok-woo在韩国首尔中区K酒店举行的“OLED Korea”大会上，做了题为“未来显示中的AR/VR发展策略”的演讲，表示将加快RGB micro OLED的生产，并表示已为 Micro OLED 量产做好准备。据了解，RGB方法比索尼目前使用的白色OLED（W-OLED）方法在技术方面更进一步，更适合Apple Vision Pro等扩展现实（XR）设备的使用需求。随着苹果和三星都在开发利用OLED显示技术的XR设备，三星显示将更多地利用去年收购的RGB micro OLED专业公司 ai hub 的专长，为XR设备准备好RGB micro OLED。有业内人士表示，三星显示将在三年内量产RGB micro OLED。
—— 韩国商业
三星推送手机系统更新增加AI功能适用机型
三星电子28日表示，当天起全球启动 One UI 6.1 系统推送，Galaxy S23 系列等九款机型可以通过系统更新体验“Galaxy AI”功能。系统升级之后，用户可享受实时翻译、聊天助手和圈定即搜等多项人工智能功能带来的便利。适配“Galaxy AI”功能的机型包括 Galaxy S23、Galaxy S23 FE、Galaxy Z Flip5 和 Fold5、Galaxy Tab S9 系列共九款。用户按照手机提示的步骤进行操作即可更新软件。
—— 韩联社
三星计划2027年推出 UFS 5.0，顺序读取速度提升至10GB/s以上
三星半导体日前在官方公众号上公布了新品路线图，其中包含了 UFS 4.0 4 和 UFS 5.0。三星表示，近年来，端侧 (End-to-End) 人工智能在智能手机市场上热度很高为了实现大语言模型的端侧运行，研究人员针对模型尺寸开展了多种研究众所周知，轻量化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升 UFS 接口速度。三星正在研发一款新产品，这款产品使用 UFS 4.0 技术，但将通道数量从目前的 2 路提升到 4 路同时，预计2025年量产，顺序读取速度达到 8GB/s。三星称，“提升顺序读取速度能够缩短模型载入时间”。新品路线图还显示，三星计划2027年推出 UFS 5.0 产品，顺序读取速度有望提升至 10GB/s以上。
—— 三星半导体公众号、IT之家
三星和SK海力士推12层HBM3E内存
3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。
—— 韩联社
三星开始建设全球第一条8.6代 OLED 生产线
三星显示8日举行“A6生产线设施导入仪式”，宣布全球第一条8.6代 OLED 生产线全面开工。A6生产线是三星显示通过改造现有L8生产线而打造的8.6代 OLED 生产线。这是三星的第6条 OLED 生产线，建成后将成为全球最高世代的OLED生产线。三星最近完成了新生产线洁净室的建设，并引进了将 OLED 有机材料转化为显示像素所需的沉积设备。三星计划年内安装主要设施，并于2026年开始全面量产。
—— 韩联社
新款 iPad Pro 将配备三星和 LG 的 OLED 屏幕
据《韩国经济日报》报道，三星显示和 LG 显示将面向苹果 iPad Pro 供应 OLED 显示屏，这款新品最早将于本月发布。这批 OLED 订单备货850万件，价值3.9万亿韩元。据显示器行业消息人士周二透露，三星显示和 LG 显示预计今年将分别为新款11英寸和12.9英寸 iPad Pro 机型供应400万片和450万片 OLED 面板。据称，苹果已决定在本月晚些时候推出的 iPad Pro 机型上采用 OLED 面板。
—— 韩国经济日报
三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额
在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。
—— 商业韩国
三星发布高性能大容量的下一代 microSD 卡
三星电子宣布，已开始提供 256GB SD Express microSD 卡样品，并于今年晚些时候推出；同时开始批量生产 1TB UHS-1 microSD 卡，并将于 2024 年第三季度推出。三星表示，256GB SD Express microSD 卡的数据读取速度高达 800MB/s，“比 SATA SSD（最高 560MB/s）快 1.4 倍，比传统 UHS-1 存储卡快四倍以上。”但由于 SD Express 卡的速度更快，温度可能高达 96°C，因此三星推出了动态热防护技术，有助于保持卡的最佳温度。通过推出下一代 microSD 卡系列，三星旨在提供未来移动计算和设备上人工智能应用所需的差异化内存解决方案。
—— 三星电子
三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型 HBM 存储芯片
三星电子周二表示，它已经开发出一种新型高带宽存储芯片，具有业界“迄今为止最高容量”。三星称 HBM3E 12H “将性能和容量提高了 50% 以上”。三星表示，已开始向客户提供芯片样品，并计划于2024年上半年量产。它将确保已经与三星签约的 Nvidia 在基于更高层 (12L) 的更高密度 (36GB) HBM3E 产品方面的领先地位。
三星表示，HBM3E 12H 具有12层堆叠，但采用先进的热压非导电薄膜，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前的HBM封装要求。 其结果是芯片具有更强的处理能力，而不增加其物理占用空间。三星表示：“三星不断降低其 NCF 材料的厚度，实现了业界最小的芯片间隙 (7 微米)，同时还消除了层间空隙。与 HBM3 8H 产品相比，这些努力使垂直密度提高了 20% 以上。”
—— CNBC