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华为参与开发高带宽内存，以抵制美国的制裁

据消息人士透露，华为技术有限公司已与中国晶圆代工厂武汉新芯集成电路制造有限公司合作开发高带宽内存 (HBM) 芯片，因为这些设备已成为人工智能项目所用计算基础设施中不可或缺的组件。消息人士称，该计划还涉及大陆集成电路封装公司江苏长电科技和通富微电子，任务是提供 CoWoS 封装。

去年8月，华为在5G智能手机市场出人意料地卷土重来，推出了一款搭载7纳米处理器的手机。这一突破在大陆受到称赞，但鉴于现有的技术准入限制，引发了美国的严格审查。

—— 南华早报

中国企业在生产用于人工智能芯片组的高带宽内存方面取得进展

据消息人士和文件显示，两家中国芯片制造商正处于生产用于人工智能芯片组的高带宽存储器 (HBM) 半导体的早期阶段。据三位知情人士透露，中国最大的 DRAM 芯片制造商长鑫存储已与芯片封装和测试公司通富微电子合作开发了 HBM 芯片样品。其中两位知情人士表示，这些芯片正在向客户展示。企查查文件显示，武汉新芯正在建设一座每月可生产3,000片12英寸 HBM 晶圆的工厂，并计划于今年二月开始建设。两位知情人士表示，长鑫存储和其他中国芯片公司还与韩国和日本半导体设备公司定期举行会议，购买开发 HBM 的工具。知情人士透露，华为计划在2026年前与其他国内公司合作生产 HBM2 芯片。

—— 路透社

华为引领中国与英伟达 AI 芯片竞争

华为技术有限公司正在领导一批中国半导体公司寻求存储芯片方面的突破，这可能有助于中国开发出替代英伟达尖端人工智能芯片的国产芯片，因为英伟达的芯片无法在中国销售。据两位接近华为的人士透露，由华为牵头的联盟在中国政府的资助下，计划到2026年生产高带宽内存 (HBM)，这是先进图形处理单元的关键组件。该项目于去年开始，其中包括与华为一起受到美国制裁的内存芯片制造商福建晋华集成电路。该联盟还依赖其他中国芯片生产商和封装技术开发商，并将努力根据华为设计的人工智能处理器芯片和支持主板组件定制其内存芯片。

—— 路透社、 The Information

三星推出用于人工智能的“迄今为止最高容量”的新型 HBM 存储芯片

三星电子周二表示，它已经开发出一种新型高带宽存储芯片，具有业界“迄今为止最高容量”。三星称 HBM3E 12H “将性能和容量提高了 50% 以上”。三星表示，已开始向客户提供芯片样品，并计划于2024年上半年量产。它将确保已经与三星签约的 Nvidia 在基于更高层 (12L) 的更高密度 (36GB) HBM3E 产品方面的领先地位。

三星表示，HBM3E 12H 具有12层堆叠，但采用先进的热压非导电薄膜，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前的HBM封装要求。 其结果是芯片具有更强的处理能力，而不增加其物理占用空间。三星表示：“三星不断降低其 NCF 材料的厚度，实现了业界最小的芯片间隙 (7 微米)，同时还消除了层间空隙。与 HBM3 8H 产品相比，这些努力使垂直密度提高了 20% 以上。”

—— CNBC