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中国长鑫存储芯片突破美国出口管制

尽管美国政府实施出口管制以限制中国企业的能力，但长鑫存储技术有限公司仍在芯片制造技术方面取得了进展。加拿大咨询公司TechInsights的研究显示，长鑫存储的DDR5动态随机存储器技术，在光威科技提供的内存模块中发现，需要的先进制造技术此前从未在中国市场上出现过。“这意味着他们已经找到了以商业规模设计和制造这种芯片的独特方法，”TechInsights称。“原预计要到2025年底或2026年初才能看到这种内存。”长鑫存储最新的芯片具有十六纳米的半间距。尽管如此，TechInsights 的数据显示，长鑫存储的最新技术仍落后韩国的SK海力士、三星电子以及美国的美光科技约三年。

—— 彭博社

英特尔代工业务受挫 未通过博通测试

三名知情人士透露，英特尔晶圆代工业务未能通过芯片制造商博通的测试，这对英特尔扭亏为盈努力造成了打击。知情人士称，博通进行的测试涉及将硅晶圆通过英特尔最先进的制造工艺 18A。博通上个月从英特尔收回了这些晶圆。在其工程师和高管研究测试后认定该制造工艺尚不适合大规模生产。英特尔发言人在声明中表示：“英特尔 18A 制程已经启动，运行良好，且良品率较高。我们仍有望于明年开始大批量生产。整个行业对英特尔 18A 非常感兴趣，但出于政策原因，我们不会对具体客户对话发表评论。”

—— 路透社