应用材料的推出全新 RuCo 复合物稳定台积电和三星的 2nm 工艺良率
应用材料公司宣布在旨在提高先进半导体工艺效率的设备中使用一种新材料钌(Ru)。Endura Copper Barrier Seed IMS 解决方案将使铜线能够缩小到 2nm 及以下，并采用一种称为“黑钻”的绝缘体，从而降低最小介电常数。新材料可以支持台积电和三星等晶圆代工厂在 2nm 以下工艺中稳定产量，同时通过下一代设备解决方案提高性能。该材料已经开始在 3nm 产线中进行交付。
随着半导体行业向 2nm 以下的先进工艺发展，减少铜线的厚度通常会导致电阻急剧增加，从而导致芯片性能下降和功耗增加。最新解决方案成功地将钌(Ru)和钴(Co)结合在一起，实现了线厚度减少约 33%，同时将互连电阻降低高达 25%。
—— 数字时报