中国半导体制造能力仅落后台积电三年
美国对中国华为启动出口禁令已有5年。美国政府一直在采取遏制中国芯片技术的措施。但实际效果很少被讨论。日本半导体调查企业TechanaLye的社长清水洋治表示，中国芯片的实力已经达到比台积电落后3年的水平。虽然在良品率上存在差距，但从出货的半导体芯片的性能来看，中芯国际的实力已追赶到比台积电落后3年。虽然线路线宽为7纳米，但可以发挥与台积电的5纳米相同的性能，因此可以分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。清水洋治详细分析了华为最新款智能手机得出结论是：“到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新，但推动了中国半导体产业的自主生产”。
—— 日经新闻