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标签： 工艺技术

  • 英特尔新工艺技术与台积电N2工艺的比较

    英特尔 18A 比台积电 N2 工艺性能更好但晶体管密度不及

    TechInsights 和 SemiWiki 发布了英特尔和台积电在国际电子设备会议上披露的有关即将推出的 18A（1.8nm）和 N2（2nm）工艺技术的关键细节。据称，英特尔的 18A 可以提供更高的性能领先于台积电 N2 和三星 SF2 。而台积电的 N2 可能提供更高的晶体管密度，英特尔 18A 和三星 SF2 则相仿。在 IEDM 活动上发表的论文中，英特尔和台积电都披露了其下一代 18A 和 N2 制造工艺相对于前代工艺的性能、功率和晶体管密度优势。不过，目前还没有办法对这两种制造技术进行正面比较。

    —— Tom’s Hardware

  • 华为和中芯国际提前披露3纳米级工艺技术

    华为专利披露三纳米级工艺技术规划

    今年早些时候， 当华为和中芯国际为生产先进微芯片而申请自对准四重图案化 (SAQP) 光刻方法专利时，大多数人都认为这两家公司正在使用其 5 纳米级制造工艺制造芯片。显然，这并不是他们计划的极限，因为华为现在也期待将四重图案化用于 3 纳米级制造技术。与华为合作的中国芯片制造设备开发商深圳新凯来公司 (SiCarrier) 也获得了 SAQP 专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制造。SAQP 指的是在硅片上反复雕刻线条，以提高晶体管的密度，降低功耗，从而提高性能。

    —— Tom’s Hardware