SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺
SK 海力士封装开发负责人 Lee Kang-Wook 表示，该公司今年将在韩国投资超过 10 亿美元，以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤，特别是先进封装工艺。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为105 亿美元。 这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端为主”，即芯片的设计和制造。 “但接下来的50年将是全部是后端为主”，即封装。Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充（MR-MUF）和硅通孔（TSV）技术中，Lee 曾领导这两种技术的发明，现在均已成为 HBM 制造的基础核心技术。
—— 彭博社