美国考虑限制中国获取人工智能内存芯片
美国正考虑最早于下个月对中国获取人工智能存储芯片以及能够生产这些半导体的设备实施单方面限制，此举将进一步加剧世界最大经济体之间的技术竞争。
据知情人士透露，此举旨在阻止美光科技公司、韩国领先的内存芯片制造商SK 海力士公司和三星电子公司向中国公司供应所谓的高带宽内存 (HBM) 芯片，并强调尚未做出最终决定。这三家公司主导着全球 HBM 市场。知情人士称，一旦该措施颁布，将涵盖 HBM2 和更先进的芯片，包括 HBM3 和 HBM3E，这是目前正在生产的最先进的 AI 内存芯片，以及制造这些芯片所需的工具。HBM 芯片是运行 AI 加速器所必需的。
—— 彭博社
中国企业在生产用于人工智能芯片组的高带宽内存方面取得进展
据消息人士和文件显示，两家中国芯片制造商正处于生产用于人工智能芯片组的高带宽存储器 (HBM) 半导体的早期阶段。据三位知情人士透露，中国最大的 DRAM 芯片制造商长鑫存储已与芯片封装和测试公司通富微电子合作开发了 HBM 芯片样品。其中两位知情人士表示，这些芯片正在向客户展示。企查查文件显示，武汉新芯正在建设一座每月可生产3,000片12英寸 HBM 晶圆的工厂，并计划于今年二月开始建设。两位知情人士表示，长鑫存储和其他中国芯片公司还与韩国和日本半导体设备公司定期举行会议，购买开发 HBM 的工具。知情人士透露，华为计划在2026年前与其他国内公司合作生产 HBM2 芯片。
—— 路透社