复旦大学周鹏/刘春森团队在半导体存储技术领域取得重大突破，成功研制出新型亚纳秒闪存器件——”破晓”(PoX)。该成果以400皮秒的擦写速度创下了全球最快纪录，相当于每秒可执行25亿次操作，相关研究已发表于国际顶尖期刊《自然》。
研究团队从存储器件的底层理论机制出发，提出了一条全新的提速思路。通过创新性地结合二维狄拉克能带结构与弹道输运特性，精确调制二维沟道的高斯长度，并实现沟道电荷向浮栅存储层的超注入，从而达到了瞬时能量注入的效果。这一突破使得该器件在存储和计算速度方面实现了质的飞跃，性能超越同技术节点的现有产品。
目前，研究团队已完成Kb级芯片流片工作。预计在未来3-5年内，将推动该技术向兆级水平迈进，并计划授权相关企业进行产业化应用。这一成果不仅标志着我国在半导体存储领域达到世界领先水平，也为下一代高效能数据存储技术的发展指明了方向。